在集成電路制造的光刻工藝中，為了保證光刻膠在晶圓處理過(guò)程中更好的完成圖形轉(zhuǎn)移，需要在晶圓上行噴涂hmds預(yù)處理的工藝，將晶圓表面親水性的置換為疏水性的，使晶圓表面接觸角達(dá)到65或更高。

      HMDS 可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)稀釋溶液直接涂在晶片上，并允許 HMDS 旋轉(zhuǎn)干燥（HMDS 在室溫下非常易揮發(fā)）。如果 HMDS 不適當(dāng)干燥，則會(huì)導(dǎo)致顯著的附著力損失。雖然直接旋涂很容易，它僅在置換一小部分硅烷醇基團(tuán)時(shí)有效。迄今為止，施加增粘劑的優(yōu)選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高溫度和降低壓力下。這樣在沒有過(guò)多 HMDS 沉積的情況下對(duì)基材進(jìn)行良好的涂覆，并且更高的溫度會(huì)導(dǎo)致與硅烷的反應(yīng)更好。用 HMDS 正確處理后，基材可以放置數(shù)天而不會(huì)明顯重新吸附水。在同一HMDS氣相成底膜烘箱中進(jìn)行脫水烘烤和蒸汽灌注可提供性能。

HMDS氣相成底膜烘箱  真空HMDS氣相烘箱適用產(chǎn)品

硅片、磷化銦lnP、砷化鎵GaAs、鈮酸鋰LiNbO?、硫化鋅ZnS、掩膜版、玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料等。

HMDS氣相成底膜烘箱  真空HMDS氣相烘箱性能

HMDS藥液泄漏報(bào)警提示

HMDS低液位報(bào)警提示

工藝數(shù)據(jù)記錄功能

藥液管道預(yù)熱功能

程序鎖定保護(hù)等功能

產(chǎn)品兼容性：1-12寸產(chǎn)品、方片、碎片及大型面板（可定制）

溫度范圍：RT-200℃

真空度：1torr

操作方式：人機(jī)界面，一鍵運(yùn)行

HMDS控制：可控制HMDS 藥液添加量

真空泵：無(wú)油渦旋真空泵

附件功能：圖像反轉(zhuǎn)功能